GB/T 14141-1993 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法（英文版）北京翻译公司|北京市翻译|北京文心雕语翻译公司

标准编号	GB/T 14141-1993
标准名称	GB/T 14141-1993 硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法（英文版）
英文名称	Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
发布日期	1993-02-06
实施日期	1993-10-01
全文页数	6
原版价格	10.00元
是否译文	是
译文报价	175.00元
译文格式	Word/PDF
目录简介	本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2~3μm的薄层，测量范围为250~5000Ω；对于厚度不小于 3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。
关键字	GB/T 14141 English Code