GB/T 12963-2009

GB/T 12963-2009 硅多晶 （英文版）

Specification for polycrystalline silicon

2009-10-30

2010-06-01

8

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是

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Word/PDF

本标准修改采用SEMIM16-1103:2003《多晶硅规范》,主要差异如下:
---增加了技术参数,如对基磷、基硼电阻率、碳浓度和n型少子寿命的等级要求;
---增加了硅多晶尺寸范围要求。
本标准代替GB/T12963-1996《硅多晶》。
本标准与GB/T12963-1996相比,主要有如下变动:
---基磷电阻率等级由300Ω·cm、200Ω·cm、100Ω·cm 修订为500Ω·cm、300Ω·cm、200Ω·cm;
---增加氧化夹层术语。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨眉半导体材料厂。
本标准主要起草人:罗莉萍、张辉坚、王炎。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T12963-1991、GB/T12963-1996。

GB/T 12963 English Code